DB105G

GeneSiC Semiconductor DB105G

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • DB105G
  • GeneSiC Semiconductor
  • BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
  • Diodes - Bridge Rectifiers
  • DB105G Datenblatt
  • 4-EDIP (0.321\", 8.15mm)
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 8498
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
DB105G
Kategorie
Diodes - Bridge Rectifiers
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
4-EDIP (0.321\", 8.15mm)
Gerätepaket des Lieferanten
DB
Technologie
Standard
Diodentyp
Single Phase
Spannung – Spitzenumkehr (max.)
600 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1 A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 1 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
10 µA @ 600 V

DB105G Garantien

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