GeneSiC Semiconductor DB106G
- DB106G
- GeneSiC Semiconductor
- BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
- Diodes - Bridge Rectifiers
- DB106G Datenblatt
- 4-EDIP (0.321\", 8.15mm)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 15919
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer DB106G |
Kategorie Diodes - Bridge Rectifiers |
Hersteller GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer 4-EDIP (0.321\", 8.15mm) |
Gerätepaket des Lieferanten DB |
Technologie Standard |
Diodentyp Single Phase |
Spannung – Spitzenumkehr (max.) 800 V |
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1 A |
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 1 A |
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 10 µA @ 800 V |
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Bemerkungen
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