DDB6U215N16LHOSA1

Infineon Technologies DDB6U215N16LHOSA1

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  • DDB6U215N16LHOSA1
  • Infineon Technologies
  • DIODE MODULE GP 1600V
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
  • DDB6U215N16LHOSA1 Datenblatt
  • Module
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3308
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
DDB6U215N16LHOSA1
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE MODULE GP 1600V
Paket
Bulk
Serie
-
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Module
Gerätepaket des Lieferanten
Module
Diodentyp
Standard
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.61 V @ 300 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
10 mA @ 1600 V
Diodenkonfiguration
3 Independent
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1600 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
-
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-40°C ~ 150°C

DDB6U215N16LHOSA1 Garantien

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