Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N,LF
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- TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
- TVS - Diodes
- DF10G6M4N,LF Datenblatt
- 10-UFDFN
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-
Lead free / RoHS Compliant
- 12558
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Teilenummer DF10G6M4N,LF |
Kategorie TVS - Diodes |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN |
Paket 10-UFDFN |
Serie - |
Typ Zener |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 10-UFDFN |
Gerätepaket des Lieferanten 10-DFN (2.5x1) |
Anwendungen General Purpose |
Spannung – Rückwärtsabstand (Typ) 5.5V (Max) |
Spannung – Durchschlag (Min.) 5.6V |
Spannung – Klemmung (max.) bei Ipp 25V |
Strom – Spitzenimpuls (10/1000 µs) 2A (8/20µs) |
Leistungsspitzenimpuls 30W |
Stromleitungsschutz No |
Bidirektionale Kanäle 4 |
Kapazität bei Frequenz 0.2pF @ 1MHz |
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In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...

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