Diodes Incorporated DMG4800LK3-13
- DMG4800LK3-13
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMG4800LK3-13 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 848
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer DMG4800LK3-13 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.71W (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 1.6V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 798 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
DMG4800LK3-13 Garantien
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