Diodes Incorporated DMJ7N70SK3-13
- DMJ7N70SK3-13
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMJ7N70SK3-13 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 25455
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer DMJ7N70SK3-13 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252 |
Paket -Reel® |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 28W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13.9 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 351 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
DMJ7N70SK3-13 Garantien
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Bemerkungen
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated was founded in 1968 in the United States, with its headquarters located in Plano, Texas and Milpitas, California. It is a S&P small cap 600 and Russell 3000 index company, as well as...

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