Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4-7
- DMT12H090LFDF4-7
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMT12H090LFDF4-7 Datenblatt
- 6-PowerXDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 25851
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer DMT12H090LFDF4-7 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Diodes Incorporated |
Beschreibung MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 6-PowerXDFN |
Gerätepaket des Lieferanten X2-DFN2020-6 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 115 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 251 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±12V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 3V, 10V |
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