Etron Technology, Inc. EM6A9160TSC-4G
- EM6A9160TSC-4G
- Etron Technology, Inc.
- IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
- Memory
- EM6A9160TSC-4G Datenblatt
- 66-TSSOP (0.400\", 10.16mm Width)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4861
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer EM6A9160TSC-4G |
Kategorie Memory |
Hersteller Etron Technology, Inc. |
Beschreibung IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V |
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 66-TSSOP (0.400\", 10.16mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 66-TSOP II |
Speichergröße 128Mb (8M x 16) |
Technologie SDRAM - DDR |
Speichertyp Volatile |
Taktfrequenz 250 MHz |
Zugriffszeit 700 ps |
Gedächtnis-Format DRAM |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 12ns |
Speicherschnittstelle Parallel |
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Bemerkungen
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