EM6A9160TSC-4G

Etron Technology, Inc. EM6A9160TSC-4G

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • EM6A9160TSC-4G
  • Etron Technology, Inc.
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
  • Memory
  • EM6A9160TSC-4G Datenblatt
  • 66-TSSOP (0.400\", 10.16mm Width)
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4861
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
EM6A9160TSC-4G
Kategorie
Memory
Hersteller
Etron Technology, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Spannung - Versorgung
2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur
0°C ~ 70°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
66-TSSOP (0.400\", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
66-TSOP II
Speichergröße
128Mb (8M x 16)
Technologie
SDRAM - DDR
Speichertyp
Volatile
Taktfrequenz
250 MHz
Zugriffszeit
700 ps
Gedächtnis-Format
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
12ns
Speicherschnittstelle
Parallel

EM6A9160TSC-4G Garantien

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