EPC EPC2012
- EPC2012
- EPC
- GANFET N-CH 200V 3A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2012 Datenblatt
- Die
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3723
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Teilenummer EPC2012 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller EPC |
Beschreibung GANFET N-CH 200V 3A DIE |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Technologie GaNFET (Gallium Nitride) |
Verlustleistung (max.) - |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.8 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 145 pF @ 100 V |
Vgs (Max) +6V, -5V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V |
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