EPC EPC2103ENG
- EPC2103ENG
- EPC
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2103ENG Datenblatt
- Die
- Die
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28803
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer EPC2103ENG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
Paket Die |
Serie eGaN? |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 7mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 760pF @ 40V |
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