EPC EPC2103ENG
- EPC2103ENG
- EPC
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2103ENG Datenblatt
- Die
- Die
- Lead free / RoHS Compliant
- 28803
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number EPC2103ENG |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer EPC |
Description TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
Package Die |
Series eGaN? |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die |
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 40V |
Package_case Die |
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