EPC2103ENG

EPC EPC2103ENG

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  • EPC2103ENG
  • EPC
  • TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • EPC2103ENG Datenblatt
  • Die
  • Die
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 28803
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Part Number
EPC2103ENG
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
EPC
Description
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Package
Die
Series
eGaN?
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 40V
Package_case
Die

EPC2103ENG Garantien

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