EPC8009

EPC EPC8009

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  • EPC8009
  • EPC
  • GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • EPC8009 Datenblatt
  • Die
  • -Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2836
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
EPC8009
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
Paket
-Reel®
Serie
eGaN®
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Gerätepaket des Lieferanten
Die
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
52 pF @ 32.5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
5V

EPC8009 Garantien

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