Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL R3G
- ES1BL R3G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Diodes - Rectifiers - Single
- ES1BL R3G Datenblatt
- DO-219AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 25056
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| Teilenummer ES1BL R3G |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
| Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
| Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer DO-219AB |
| Gerätepaket des Lieferanten Sub SMA |
| Diodentyp Standard |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950 mV @ 1 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 100 V |
| Kapazität@Vr,F 10pF @ 4V, 1MHz |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100 V |
| Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) 35 ns |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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