Taiwan Semiconductor Corporation ES1JLHR3G
- ES1JLHR3G
- Taiwan Semiconductor Corporation
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Diodes - Rectifiers - Single
- ES1JLHR3G Datenblatt
- DO-219AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2823
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| Teilenummer ES1JLHR3G |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
| Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation |
| Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie Automotive, AEC-Q101 |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer DO-219AB |
| Gerätepaket des Lieferanten Sub SMA |
| Diodentyp Standard |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 1 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 5 µA @ 600 V |
| Kapazität@Vr,F 8pF @ 4V, 1MHz |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600 V |
| Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) 35 ns |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
ES1JLHR3G Garantien



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Bemerkungen
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