EVK-HADES1210

EVK-HADES1210 High Temperature High Voltage High Reliability High Voltage Isolated Gate Driver

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • EVK-HADES1210
  • EVK-HADES1210 High Temperature High Voltage High Reliability High Voltage Isolated Gate Driver
  • CISSOID
  • EVK-HADES1210 Datenblatt
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 405
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》 Erfahren Sie mehr
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  • Circuit board size: 68mm * 54mm
  • CISSOID active components guaranteed -55° to +225°C (Tj)
  • 200°C Polyimide Printed Circuit Board
  • Circuit boards qualified for 175°C ambient conditions
  • Allows short-term offset testing over a temperature range of 225°C
  • Isolated high-side and low-side gate drivers
  • Isolated DC-DC converter with floating driver
  • High Temperature 10A/1200V SiC MOSFET Switch
  • DC bus voltage: 600V Typ. (Design maximum 1200V)
  • Isolation (major - minor):
  • 2,500VAC @50Hz (1 million times)
  • >100MΩ@500VDC
  • Common-mode Transient Immunity: 30kV/µs Typ. (Designed for 50kV/µs)
  • Delay time (PWM to VOUT): 200ns typical.
  • Gate voltage: nominal 20V / -5V
  • Power FET gate rise time: 40ns typical.
  • Power FET gate fall time: 40ns typical.
  • DC-DC converter switching frequency: 180kHz Typ.
  • Single power supply: [12-15V]±10%
  • Interface voltage (digital I/O): 15V ±10%
  • Undervoltage lockout (UVLO)
  • Independent PWM inputs for HS and LS drives or single PWM input with on-board non-overlapping
  • desaturation protection
  • Isolate fault output
  • Garantien

    jinfftry-guarantee1

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    • Garantierte Qualität

    • Globaler Zugang

    • Wettbewerbsfähiger Marktpreis

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