F415MR12W2M1B76BOMA1

Infineon Technologies F415MR12W2M1B76BOMA1

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  • F415MR12W2M1B76BOMA1
  • Infineon Technologies
  • LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • F415MR12W2M1B76BOMA1 Datenblatt
  • Module
  • Tray
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2215
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  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
F415MR12W2M1B76BOMA1
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
Paket
Tray
Serie
EasyPACK™ CoolSiC™
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Module
Gerätepaket des Lieferanten
AG-EASY1B-2
Power-Max
-
FET-Typ
4 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th) (Max) @Id
5.55V @ 30mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
800V

F415MR12W2M1B76BOMA1 Garantien

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