Infineon Technologies F415MR12W2M1B76BOMA1
- F415MR12W2M1B76BOMA1
- Infineon Technologies
- LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- F415MR12W2M1B76BOMA1 Datenblatt
- Module
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2215
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer F415MR12W2M1B76BOMA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 |
Paket Tray |
Serie EasyPACK™ CoolSiC™ |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Chassis Mount |
Paket/Koffer Module |
Gerätepaket des Lieferanten AG-EASY1B-2 |
Power-Max - |
FET-Typ 4 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV) |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 75A, 15V |
Vgs(th) (Max) @Id 5.55V @ 30mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 800V |
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