ON Semiconductor FAM65HR51DS2
- FAM65HR51DS2
- ON Semiconductor
- IGBT MODULE 650V 33A 135W
- Transistors - IGBTs - Modules
- FAM65HR51DS2 Datenblatt
- -
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3303
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Teilenummer FAM65HR51DS2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT MODULE 650V 33A 135W |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer - |
Gerätepaket des Lieferanten - |
Power-Max 135 W |
Konfiguration Half Bridge Inverter |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 33 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) - |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic - |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.86 nF @ 400 V |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat No |
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Bemerkungen
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