ON Semiconductor FCH099N60E
- FCH099N60E
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FCH099N60E Datenblatt
- TO-247-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3012
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Teilenummer FCH099N60E |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 |
Paket Bulk |
Serie SuperFET® II |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 357W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 37A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3465 pF @ 380 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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