Fairchild Semiconductor FCP22N60N_F102
- FCP22N60N_F102
- Fairchild Semiconductor
- FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FCP22N60N_F102 Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack
- TO-220-3 Full Pack
-
Lead free / RoHS Compliant
- 18622
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FCP22N60N_F102 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI |
Paket TO-220-3 Full Pack |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220F |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 205W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1950pF @ 100V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) 45V |
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