FCP22N60N_F102

Fairchild Semiconductor FCP22N60N_F102

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  • FCP22N60N_F102
  • Fairchild Semiconductor
  • FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FCP22N60N_F102 Datenblatt
  • TO-220-3 Full Pack
  • TO-220-3 Full Pack
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 18622
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FCP22N60N_F102
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
Paket
TO-220-3 Full Pack
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220F
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
205W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1950pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
45V

FCP22N60N_F102 Garantien

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