ON Semiconductor FCP360N65S3R0
- FCP360N65S3R0
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FCP360N65S3R0 Datenblatt
- TO-220-3
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1411
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FCP360N65S3R0 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie SuperFET® III |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 83W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 730 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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