Fairchild Semiconductor FCPF380N60E
- FCPF380N60E
- Fairchild Semiconductor
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FCPF380N60E Datenblatt
- TO-220-3 Full Pack
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4074
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FCPF380N60E |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
Paket Bulk |
Serie SuperFET® II |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 Full Pack |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220F |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 31W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.2A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1.77 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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