ON Semiconductor FDA16N50LDTU
- FDA16N50LDTU
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDA16N50LDTU Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 22566
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDA16N50LDTU |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) |
Gerätepaket des Lieferanten TO-3PN (L-Forming) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 205W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1945 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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