ON Semiconductor FDB082N15A
- FDB082N15A
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDB082N15A Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3996
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| Teilenummer FDB082N15A |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK |
| Paket Bulk |
| Serie PowerTrench® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 294W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 117A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6040 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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