ON Semiconductor FDB28N30TM
- FDB28N30TM
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDB28N30TM Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4720
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDB28N30TM |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie UniFET™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 28A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 129mOhm @ 14A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2250 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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