ON Semiconductor FDB8860
- FDB8860
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDB8860 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28629
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Teilenummer FDB8860 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 254W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 80A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 214 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 12585 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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