Fairchild Semiconductor FDBL0210N80
- FDBL0210N80
- Fairchild Semiconductor
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDBL0210N80 Datenblatt
- 8-PowerSFN
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 23212
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDBL0210N80 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
Paket Bulk |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-PowerSFN |
Gerätepaket des Lieferanten 8-HPSOF |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 357W (Tj) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 240A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 80A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 169 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 10 pF @ 40 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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