Fairchild Semiconductor FDD10AN06A0Q
- FDD10AN06A0Q
- Fairchild Semiconductor
- 1-ELEMENT, N-CHANNEL
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD10AN06A0Q Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3170
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDD10AN06A0Q |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung 1-ELEMENT, N-CHANNEL |
Paket -Reel® |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 135W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1840 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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