ON Semiconductor FDD1600N10ALZ
- FDD1600N10ALZ
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD1600N10ALZ Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1270
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer FDD1600N10ALZ |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252 |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 14.9W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.8V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.61 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 225 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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Bemerkungen
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