ON Semiconductor FDD18N20LZ
- FDD18N20LZ
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD18N20LZ Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 21221
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDD18N20LZ |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 16A DPAK |
Paket -Reel® |
Serie UniFET™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 89W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1575 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 5V, 10V |
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Bemerkungen
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