ON Semiconductor FDD6670A
- FDD6670A
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD6670A Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1059
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Teilenummer FDD6670A |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK |
Paket -Reel® |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 63W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Ta), 66A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1755 pF @ 15 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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