ON Semiconductor FDD86081-F085
- FDD86081-F085
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD86081-F085 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26365
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Teilenummer FDD86081-F085 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3 |
Paket -Reel® |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten D-PAK (TO-252) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 31.3W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.7A (Ta), 21.4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.5mOhm @ 6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.5V @ 36µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 493 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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