FDD86567_F085

Fairchild Semiconductor FDD86567_F085

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  • FDD86567_F085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FDD86567_F085 Datenblatt
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 6689
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer
FDD86567_F085
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Paket
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
D-PAK (TO-252AA)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
227W (Tj)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4950pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
20V

FDD86567_F085 Garantien

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