ON Semiconductor FDFS2P753Z
- FDFS2P753Z
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDFS2P753Z Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3956
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer FDFS2P753Z |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 455 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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