Fairchild Semiconductor FDI038AN06A0_NL
- FDI038AN06A0_NL
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDI038AN06A0_NL Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1127
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer FDI038AN06A0_NL |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Fairchild Semiconductor |
| Beschreibung N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Paket Bulk |
| Serie PowerTrench® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten I2PAK (TO-262) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 310W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Ta), 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6400 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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