FDN86501LZ

ON Semiconductor FDN86501LZ

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  • FDN86501LZ
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FDN86501LZ Datenblatt
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2714
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FDN86501LZ
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
PowerTrench®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
335 pF @ 30 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
4.5V, 10V

FDN86501LZ Garantien

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