Fairchild Semiconductor FDP13AN06A0_NL
- FDP13AN06A0_NL
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDP13AN06A0_NL Datenblatt
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2038
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDP13AN06A0_NL |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung N-CHANNEL POWER MOSFET |
Paket Bulk |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 115W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 62A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1350 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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