FDP3632

Fairchild Semiconductor FDP3632

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  • FDP3632
  • Fairchild Semiconductor
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • FDP3632 Datenblatt
  • TO-220-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29910
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FDP3632
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Paket
Bulk
Serie
PowerTrench®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220-3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
6 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
6V, 10V

FDP3632 Garantien

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