Fairchild Semiconductor FDP3652
- FDP3652
- Fairchild Semiconductor
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDP3652 Datenblatt
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2911
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Teilenummer FDP3652 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
Paket Bulk |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta), 61A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2.88 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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Bemerkungen
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