Fairchild Semiconductor FDS6900S
- FDS6900S
- Fairchild Semiconductor
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- FDS6900S Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2094
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FDS6900S |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung N-CHANNEL POWER MOSFET |
Paket -Reel® |
Serie PowerTrench® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
Power-Max 900mW (Ta) |
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.9A (Ta), 8.2A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V, 17nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V |
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