ON Semiconductor FDU6N25
- FDU6N25
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDU6N25 Datenblatt
- TO-251-3 Stub Leads, IPak
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26409
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Teilenummer FDU6N25 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK |
Paket -Reel® |
Serie UniFET™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Gerätepaket des Lieferanten I-PAK |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 50W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 250 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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