Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1
- FF200R12KT4HOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MOD 1200V 320A 1100W
- Transistors - IGBTs - Modules
- FF200R12KT4HOSA1 Datenblatt
- Module
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 1025
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Part Number FF200R12KT4HOSA1 |
Category Transistors - IGBTs - Modules |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description IGBT MOD 1200V 320A 1100W |
Package Bulk |
Series C |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Module |
Supplier Device Package Module |
Power - Max 1100 W |
Configuration Half Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) 320 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V |
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA |
IGBT Type Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V |
Input Standard |
NTC Thermistor No |
Package_case Module |
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