ON Semiconductor FGA6530WDF
- FGA6530WDF
- ON Semiconductor
- IGBT 650V 60A 176W TO3PN
- Transistors - IGBTs - Single
- FGA6530WDF Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1131
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| Teilenummer FGA6530WDF |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung IGBT 650V 60A 176W TO3PN |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3PN |
| Power-Max 176 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) 81 ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
| IGBT-Typ Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A |
| Gate-Gebühr 37.4 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C 12ns/42.4ns |
| Testbedingung 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 90 A |
| Energie wechseln 960µJ (on), 162µJ (off) |
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Bemerkungen
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