Fairchild Semiconductor FGH30T65UPDT_F155
- FGH30T65UPDT_F155
- Fairchild Semiconductor
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Transistors - IGBTs - Single
- FGH30T65UPDT_F155 Datenblatt
- TO-247-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 12219
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FGH30T65UPDT_F155 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Power-Max 250 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 33 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A |
Gate-Gebühr 155 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 22ns/139ns |
Testbedingung 400V, 30A, 8Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 90 A |
Energie wechseln 760µJ (on), 400µJ (off) |
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Bemerkungen
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