ON Semiconductor FGY75T95LQDT
- FGY75T95LQDT
- ON Semiconductor
- IGBT 950V 75A
- Transistors - IGBTs - Single
- FGY75T95LQDT Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3687
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer FGY75T95LQDT |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT 950V 75A |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Power-Max 453 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 259 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 950 V |
IGBT-Typ Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.69V @ 15V, 75A |
Gate-Gebühr 663.3 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 52ns/496ns |
Testbedingung 600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 225 A |
Energie wechseln 2mJ (on), 1.8mJ (off) |
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Bemerkungen
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