ON Semiconductor FJV3110RMTF
- FJV3110RMTF
- ON Semiconductor
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- FJV3110RMTF Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 6296
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer FJV3110RMTF |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 |
Power-Max 200 mW |
Transistortyp NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 40 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V |
Frequenzübergang 250 MHz |
Widerstandsbasis (R1) 10 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) - |
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Bemerkungen
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FJV3101RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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