ON Semiconductor FJV3113RMTF-ON
- FJV3113RMTF-ON
- ON Semiconductor
- 0.1A, 50V, NPN
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- FJV3113RMTF-ON Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1118
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| Teilenummer FJV3113RMTF-ON |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung 0.1A, 50V, NPN |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 |
| Power-Max 200 mW |
| Transistortyp NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V |
| Frequenzübergang 250 MHz |
| Widerstandsbasis (R1) 2.2 kOhms |
| Widerstand – Emitterbasis (R2) 47 kOhms |
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Bemerkungen
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