Infineon Technologies FP100R07N3E4BOSA1
- FP100R07N3E4BOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MOD 650V 100A 335W
- Transistors - IGBTs - Modules
- FP100R07N3E4BOSA1 Datenblatt
- Module
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 20909
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer FP100R07N3E4BOSA1 |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung IGBT MOD 650V 100A 335W |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer Module |
| Gerätepaket des Lieferanten Module |
| Power-Max 335 W |
| Konfiguration Three Phase Inverter |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) 1 mA |
| IGBT-Typ Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 100A |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.2 nF @ 25 V |
| Eingang Standard |
| NTC-Thermostat No |
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