ON Semiconductor FPF2C110BI07AS2
- FPF2C110BI07AS2
- ON Semiconductor
- IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
- Transistors - IGBTs - Modules
- FPF2C110BI07AS2 Datenblatt
- 30-DIP Module
- Box
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2717
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer FPF2C110BI07AS2 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Modules |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT MODULE 650V 40A 300W F2 |
Paket Box |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer 30-DIP Module |
Gerätepaket des Lieferanten F2 |
Power-Max 300 W |
Konfiguration Half Bridge |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 650 V |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 250 µA |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce - |
Eingang Standard |
NTC-Thermostat Yes |
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Bemerkungen
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