FPF2C110BI07AS2

ON Semiconductor FPF2C110BI07AS2

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • FPF2C110BI07AS2
  • ON Semiconductor
  • IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • FPF2C110BI07AS2 Datenblatt
  • 30-DIP Module
  • Box
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2717
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
FPF2C110BI07AS2
Kategorie
Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Paket
Box
Serie
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
30-DIP Module
Gerätepaket des Lieferanten
F2
Power-Max
300 W
Konfiguration
Half Bridge
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
40 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
650 V
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
250 µA
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
Standard
NTC-Thermostat
Yes

FPF2C110BI07AS2 Garantien

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