Fairchild Semiconductor FQB22P10TM_F085
- FQB22P10TM_F085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQB22P10TM_F085 Datenblatt
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Lead free / RoHS Compliant
- 25348
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Teilenummer FQB22P10TM_F085 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Fairchild Semiconductor |
Beschreibung MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
Paket TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Serie Automotive, AEC-Q101, QFET? |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D2PAK (TO-263AB) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 125W (Tc) |
FET-Typ P-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1500pF @ 25V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) 30V |
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