ON Semiconductor FQD2N80TF
- FQD2N80TF
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQD2N80TF Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 9838
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Teilenummer FQD2N80TF |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie QFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 550 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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