ON Semiconductor FQI7N60TU
- FQI7N60TU
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQI7N60TU Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 835
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer FQI7N60TU |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK |
| Paket Tube |
| Serie QFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gerätepaket des Lieferanten I2PAK (TO-262) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.4A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1430 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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Bemerkungen
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